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MRAM

大容量MRAM是高存储密度的磁阻数据存储器,由一个或多个MRAM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。


   产品特性

 

总容量:1M~64M;

访问速度:最快达35ns

数据宽度:8位,16位,32位,40位;

电源电压:3.3V

典型产品辐照指标:

TID: >60 kradSi

SEL: <40 Mev·cm2/mg

SEU: >37 Mev·cm2/mg

工作温度:-45~95℃。

 

   产品列表

 

#  MRAM 存储容量(bit)  存储组织  电压  访问速度  抗辐射 封装  温度等级  筛选等级  质量等级 
TID 1) SEL 2) SEU 3)
1 VDMR1M08xS44xx1V35 1M 128k*8 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
2 VDMR2M16xS54xx2V35 2M 128k*16 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP54 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
3 VDMR4M08xS44xx1V35 4M 512k*8 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
4 VDMR4M08xS44xx4V35 4M 512k*8 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
5 VDMR4M16xS44xx1V35 4M 256k*16 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
6 VDMR8M32xS68xx8V35 8M 256k*32 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP68 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
7 VDMR16M08xS44xx1V35 16M 2M*8 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP44 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
8 VDMR16M08xS54xx4V35 16M 2M*8 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP54 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
9 VDMR20M40xS84xx5V35 20M 512k*40 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP84 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 
10 VDMR64M08xS54xx4V35 64M 8M*8 3.3V 35ns  >60 <40 >37 SOP54 E,I ,S E,B ,S  EE,IB ,SS 

1)TID:Total DoseKrads(Si)

2)SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3)SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

   相关下载

 

VDMR1M08xS44xx1V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR2M16xS54xx2V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR4M08xS44xx1V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR4M08xS44xx4V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR4M16xS44xx1V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR8M32xS68xx8V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR16M08xS44xx1V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR16M08xS54xx4V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR20M40xS84xx5V35 user manual.pdf 资料下载
VDMR64M08xS54xx4V35 user manual.pdf 资料下载
立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf 资料下载
立体封装模块手工装配工艺建议.pdf 资料下载
立体封装模块加固建议.pdf 资料下载
立体封装模块焊接后清洗建议.pdf 资料下载



 


4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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    暂无记录
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